Pamięć MRAM jest gotowa do produkcji. Jedno rozwiązanie, aby zastąpić DRAM i NAND

Jak wynika z raportu *EETimes, Intel jest całkowicie gotów, aby rozpocząć masową produkcję swego najnowszego wynalazku w dziedzinie pamięci. Mowa o tak zwanej magnetorezystywnej pamięci o dostępnie swobodnym (MRAM – ang. Magnetoresistive Random-Access Memory*), która stanowi próbę połączenia pamięci DRAM i NAND w jeden produkt.

Jak wiadomo, DRAM pozwala osiągać bardzo wysokie szybkości, ale jest przy tym pamięcią ulotną, czyli traci dane po odłączeniu zasilania. Z tego względu nie nadaje się do budowy dysków. Dlatego w ich konstrukcji stosuje się trwałą pamięć NAND, która to jednak jest, od DRAM, zauważalnie wolniejsza, nawet stukrotnie. Do tego dochodzi jeszcze jeden problem, tym razem wspólny dla obydwu standardów. Chodzi o gęstość, która w ostatnich latach nie rośnie już wprost proporcjonalnie do kosztów pochłanianych przez kolejne procesy litograficzne.

Intel uważa, że MRAM może rozwiązać wszystkie bolączki zarówno DRAM, jak i NAND, a do tego – jako pamięć nieulotna – z powodzeniem sprawdzić się w dowolnym scenariuszu, czy to jako pamięć operacyjna czy nośnik danych, również dla miniaturowych systemów wbudowanych.

Według przedstawionych pomiarów, MRAM osiąga czas ustalania na poziomie 1 ns, czyli nieco lepiej niż aktualne DRAM, zapewniając zarazem „wielokrotnie wyższe” wyniki zapisu i pojemność niż NAND. Ligiong Wei, inżynier Intela pracujący nad projektem pamięci MRAM, mówi ponadto o dziesięcioletniej żywotności przy temperaturze 200°C i co najmniej 10E6 cyklach przełączeń.

Jednak kwestie techniczne nie są do końca jasne. *Niebiescy wprawdzie chwalą się jeszcze uzyskiem na poziomie 99,9 proc., ponoć dzięki wykorzystaniu specjalnego procesu litograficznego klasy 22FFL FinFET, ale nie zdradzają żadnych szczegółów na temat tej technologii. Co ciekawe, specjaliści z Wikichip* stawiają tezę, że jest to tak naprawdę wersja rozwojowa technologii 14 nm, nie 22 nm, co mogłoby sugerować nazewnictwo. Niezbyt wiele wiemy też o samym działaniu intelowskiego MRAM, prócz tego, że robi użytek ze zjawiska Gaussa; odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji, a zapis – przemagnesowanie. Ani tym bardziej o przykładach urządzeń z tą pamięcią.