Samsung HBM2E, czyli kolejna generacja niezwykle szybkich modułów pamięci Strona główna Aktualności04.02.2020 22:53 Udostępnij: O autorze Piotr Urbaniak @gtxxor Samsung wprowadził do oferty pamięci HBM 3. generacji, HBM2E, określane też kodową nazwą Flashbolt. Jak nietrudno się domyślić, nowa generacja to większe pojemności, szybsze transfery i lepsza energooszczędność — a jest się czym chwalić. Pojedynczy stos HBM2E może mieć nawet 16 GB pojemności, czyli dwukrotnie więcej niż w przypadku poprzednika. W takim wypadku składa się z ośmiu 16-gigabitowych warstw DRAM, które to wytwarzane są w procesie litograficznym klasy 10 nm (1y). Same warstwy są natomiast połączone przelotowym interkonektem typu TSV; przy 5,6 tys. punktów na każdą z nich i ponad 40 tys. w całym stosie. Jak wynika z oficjalnych danych, nominalna prędkość transmisji danych wynosi 3,2 Gb/s na ścieżkę, co daje ogólną przepustowość równą 410 GB/s. Przy czym Samsung twierdzi, że szczytowo udało mu się osiągnąć, odpowiednio, 4,2 Gb/s oraz 538 GB/s. Dla odniesienia, HBM2 to 307 GB/s. Ciekawostką jest, że obecna technologia pozwala ponoć tworzyć moduły nie ośmio-, lecz 12-warstwowe, a więc jeszcze pojemniejsze i jeszcze szybsze. Masowa produkcja pamięci HBM2E ma ruszyć jeszcze w pierwszej połowie 2020 r. Docelowo trafią do kart graficznych sektora HPC, akceleratorów AI oraz rozmaitych FPGA. Tym niemniej nigdzie nie jest powiedziane, że na tym koniec. W końcu takie AMD różne rzeczy już z HBM robiło ;) Sprzęt Udostępnij: © dobreprogramy Zgłoś błąd w publikacji Zobacz także Samsung Galaxy S11 ma powstać co najmniej w trzech wersjach, każda z 5G 28 sie 2019 Oskar Ziomek Sprzęt 25 Microsoft i Samsung to teraz partnerzy strategiczni, czyli Windows 10 i Galaxy jak macOS i iOS 8 sie 2019 Piotr Urbaniak Oprogramowanie Sprzęt Biznes 40 AMD ze swoją grafiką w Soc Samsunga nie później niż za dwa lata 6 sie 2019 Jan Domański Sprzęt 14 Samsung zapewnia, że ich serwerowe SSD PCIe 4.0 nie wyzioną ducha 22 wrz 2019 Jan Domański Sprzęt Biznes 36
Udostępnij: O autorze Piotr Urbaniak @gtxxor Samsung wprowadził do oferty pamięci HBM 3. generacji, HBM2E, określane też kodową nazwą Flashbolt. Jak nietrudno się domyślić, nowa generacja to większe pojemności, szybsze transfery i lepsza energooszczędność — a jest się czym chwalić. Pojedynczy stos HBM2E może mieć nawet 16 GB pojemności, czyli dwukrotnie więcej niż w przypadku poprzednika. W takim wypadku składa się z ośmiu 16-gigabitowych warstw DRAM, które to wytwarzane są w procesie litograficznym klasy 10 nm (1y). Same warstwy są natomiast połączone przelotowym interkonektem typu TSV; przy 5,6 tys. punktów na każdą z nich i ponad 40 tys. w całym stosie. Jak wynika z oficjalnych danych, nominalna prędkość transmisji danych wynosi 3,2 Gb/s na ścieżkę, co daje ogólną przepustowość równą 410 GB/s. Przy czym Samsung twierdzi, że szczytowo udało mu się osiągnąć, odpowiednio, 4,2 Gb/s oraz 538 GB/s. Dla odniesienia, HBM2 to 307 GB/s. Ciekawostką jest, że obecna technologia pozwala ponoć tworzyć moduły nie ośmio-, lecz 12-warstwowe, a więc jeszcze pojemniejsze i jeszcze szybsze. Masowa produkcja pamięci HBM2E ma ruszyć jeszcze w pierwszej połowie 2020 r. Docelowo trafią do kart graficznych sektora HPC, akceleratorów AI oraz rozmaitych FPGA. Tym niemniej nigdzie nie jest powiedziane, że na tym koniec. W końcu takie AMD różne rzeczy już z HBM robiło ;) Sprzęt Udostępnij: © dobreprogramy Zgłoś błąd w publikacji