Samsung: Nowe pamięci DDR4 w technologii 1z nm. Jakby dotychczas nazewnictwo było zbyt proste

Strona główna Aktualności
Zdjęcie poglądowe (fot. Shutterstock.com)
Zdjęcie poglądowe (fot. Shutterstock.com)

O autorze

Prawie cztery miesiące musieliśmy czekać na premierę następców wycofanych w maju modułów pamięci B-Die, przez wielu uważanych za najlepsze DDR4 na rynku. Ale nareszcie są. Poznajcie A-Die, sprzęt ponoć jeszcze szybszy, pojemniejszy i bardziej energooszczędny.

Debiutancka kość DIMM M378A4G43AB2-CVF nie jest jakoś szczególnie imponująca. Cechuje się pojemnością 32 GB, transferem 2933 MT/s i opóźnieniami CL 21-21-21. Tak, pojemność względem B-Die rośnie czterokrotnie, ale już wydajność to obecnie średnia półka. W tej chwili na rynku można znaleźć nawet kości DDR4-4600 CL 18, tyle że 8-gigabajtowe.

Samsung życzy sobie za nowość 128,33 dol. (ok. 505 zł), jednak jest to oferta wyłącznie dla dostawców OEM, więc na rynku detalicznym z pewnością będzie drożej. Crucial kość z A-Die wycenia w detalu na 171,99 dol. (ok. 677 zł). Na chwilę obecną więcej ofert nie ma.

1z nm, czyli 10 nm 3. gen

Nie to jest jednak w całej sprawie najciekawsze. Pamiętacie artykuł o tym, że nazewnictwo procesów litograficznych to istny rozgardiasz? Premiera A-Die to świetna okazja, aby wypomnieć koreańskiemu producentowi kolejny absurdalny zabieg. Podczas gdy B-Die były produkowane w technologii 20 nm, A-Die powstają w procesie litograficznym klasy 1z nm.

W taki właśnie sposób Samsung postanowił nazwać proces litograficzny klasy 10 nm trzeciej generacji. Zastępuje on technologię 10 nm drugiej generacji, czyli 1y nm. Niemniej ta szersze zastosowanie znalazła tylko w SSD-kach. Kolejny nomenklaturowy horror.

© dobreprogramy
s