Samsung prześcignął Intela, jako pierwszy pokazał czip z tranzystorami FinFET 10 nm Strona główna Aktualności25.02.2015 13:12 Udostępnij: Polub: O autorze Adam Golański @eimi Jeszcze wczoraj informowaliśmy o planach Intela dotyczących prac nad procesem technologicznym 10 nm w czasie, gdy przewaga amerykańskiej firmy nad konkurentami w dziedzinie tempa miniaturyzacji znacząco zmalała. Podczas odbywającej się w tym tygodniu konferencji International Solid State Circuits Conference wszystkich zaskoczył jednak Samsung. Koreańczycy, którzy swoje najnowsze procesory Exynos produkują w procesie 14 nm, wyszli w miniaturyzacyjnym wyścigu na prowadzenie, pokazując pierwszą na świecie 10-nanometrową technikę produkcji tranzystorów FinFET. O osiągnięciu tym informuje koreańskie wydanie serwisu ZDNet. Samsung już w 2013 roku pokazał prototypy pamięci masowej eMMC o pojemności 128 Gb z wielostanowymi komórkami, produkowane w procesie 10 nm. Pierwszy czip z tranzystorami FinFET w tym procesie to jednak zupełnie innej klasy osiągnięcie, przybliżające koreańską firmę do produkcji 10-nanometrowych procesorów Exynos. Kim Ki-nam, prezes działu Samsung Electronics zajmującego się technologiami półprzewodnikowymi stwierdził, że opracowany przez jego firmę proces ma być znaczącym krokiem w ewolucji Internetu Rzeczy. Pozwoli na tworzenie znacznie bardziej oszczędnych energetycznie czipów o znacznie mniejszych rozmiarach, które mogłyby znaleźć zastosowanie w sprzęcie takim jak smart-zegarki. Przedstawił także plany produkcji 10-nanometrowych pamięci DRAM oraz trójwymiarowych pamięci NAND flash w tym procesie. Oficjalnie Koreańczycy raczej nie przymierzają się do konkurowania z Intelem czy AMD na rynku mikroprocesorów dla komputerów desktopowych. Ich osiągnięcie stanowiłoby raczej problem dla firm takich jak Qualcomm, które wciąż swoje Snapdragony produkują w procesie 20 nm. Kim Ki-nam wspomniał jednak też o zastosowaniach czipów wykonanych na takim poziomie miniaturyzacji w centrach danych, a więc tam, gdzie producenci układów x86 mają swoje żywotne interesy. Zainteresowanie wykorzystaniem 64-bitowej architektury ARM na serwerach w ostatnich czasach tylko rośnie – i niewykluczone, że Samsung i w tym segmencie spróbuje swoich sił. Elastyczność ARM-ów jest bowiem bardzo wysoka, szczególnie w zastosowaniach sieciowych, gdzie duża liczba oszczędnych energetycznie rdzeni jest znacznie bardziej przydatna, niż kilka bardzo wydajnych obliczeniowo rdzeni x86. Kilka dni temu izraelska firma EZchip zaprezentowała układ TILE-Mx100, w jednym układzie mieszczący 100 rdzeni ARMv8-A i przeznaczony głównie do obsługi wymagających aplikacji sieciowych i wirtualizacji sieci. Wykonany on został w procesie 20 nm, ale przecież Samsung oferuje też swoje moce przerobowe innym firmom (np. Apple). Rozpoczęcie produkcji serwerowych czipów w procesie 10 nm, zanim jeszcze Intel zdąży uruchomić produkcję swoich procesorów Cannonlake, mogłoby sporo zmienić na tym rynku. Sprzęt Udostępnij: Polub: © dobreprogramy Zgłoś błąd w publikacji
Udostępnij: Polub: O autorze Adam Golański @eimi Jeszcze wczoraj informowaliśmy o planach Intela dotyczących prac nad procesem technologicznym 10 nm w czasie, gdy przewaga amerykańskiej firmy nad konkurentami w dziedzinie tempa miniaturyzacji znacząco zmalała. Podczas odbywającej się w tym tygodniu konferencji International Solid State Circuits Conference wszystkich zaskoczył jednak Samsung. Koreańczycy, którzy swoje najnowsze procesory Exynos produkują w procesie 14 nm, wyszli w miniaturyzacyjnym wyścigu na prowadzenie, pokazując pierwszą na świecie 10-nanometrową technikę produkcji tranzystorów FinFET. O osiągnięciu tym informuje koreańskie wydanie serwisu ZDNet. Samsung już w 2013 roku pokazał prototypy pamięci masowej eMMC o pojemności 128 Gb z wielostanowymi komórkami, produkowane w procesie 10 nm. Pierwszy czip z tranzystorami FinFET w tym procesie to jednak zupełnie innej klasy osiągnięcie, przybliżające koreańską firmę do produkcji 10-nanometrowych procesorów Exynos. Kim Ki-nam, prezes działu Samsung Electronics zajmującego się technologiami półprzewodnikowymi stwierdził, że opracowany przez jego firmę proces ma być znaczącym krokiem w ewolucji Internetu Rzeczy. Pozwoli na tworzenie znacznie bardziej oszczędnych energetycznie czipów o znacznie mniejszych rozmiarach, które mogłyby znaleźć zastosowanie w sprzęcie takim jak smart-zegarki. Przedstawił także plany produkcji 10-nanometrowych pamięci DRAM oraz trójwymiarowych pamięci NAND flash w tym procesie. Oficjalnie Koreańczycy raczej nie przymierzają się do konkurowania z Intelem czy AMD na rynku mikroprocesorów dla komputerów desktopowych. Ich osiągnięcie stanowiłoby raczej problem dla firm takich jak Qualcomm, które wciąż swoje Snapdragony produkują w procesie 20 nm. Kim Ki-nam wspomniał jednak też o zastosowaniach czipów wykonanych na takim poziomie miniaturyzacji w centrach danych, a więc tam, gdzie producenci układów x86 mają swoje żywotne interesy. Zainteresowanie wykorzystaniem 64-bitowej architektury ARM na serwerach w ostatnich czasach tylko rośnie – i niewykluczone, że Samsung i w tym segmencie spróbuje swoich sił. Elastyczność ARM-ów jest bowiem bardzo wysoka, szczególnie w zastosowaniach sieciowych, gdzie duża liczba oszczędnych energetycznie rdzeni jest znacznie bardziej przydatna, niż kilka bardzo wydajnych obliczeniowo rdzeni x86. Kilka dni temu izraelska firma EZchip zaprezentowała układ TILE-Mx100, w jednym układzie mieszczący 100 rdzeni ARMv8-A i przeznaczony głównie do obsługi wymagających aplikacji sieciowych i wirtualizacji sieci. Wykonany on został w procesie 20 nm, ale przecież Samsung oferuje też swoje moce przerobowe innym firmom (np. Apple). Rozpoczęcie produkcji serwerowych czipów w procesie 10 nm, zanim jeszcze Intel zdąży uruchomić produkcję swoich procesorów Cannonlake, mogłoby sporo zmienić na tym rynku. Sprzęt Udostępnij: Polub: © dobreprogramy Zgłoś błąd w publikacji