Samsung HBM2E, czyli kolejna generacja niezwykle szybkich modułów pamięci

Pojedynczy stos HBM2E może mieć nawet 16 GB pojemności, czyli dwukrotnie więcej niż w przypadku poprzednika. W takim wypadku składa się z ośmiu 16-gigabitowych warstw DRAM, które to wytwarzane są w procesie litograficznym klasy 10 nm (1y). Same warstwy są natomiast połączone przelotowym interkonektem typu TSV; przy 5,6 tys. punktów na każdą z nich i ponad 40 tys. w całym stosie.

Jak wynika z oficjalnych danych, nominalna prędkość transmisji danych wynosi 3,2 Gb/s na ścieżkę, co daje ogólną przepustowość równą 410 GB/s. Przy czym Samsung twierdzi, że szczytowo udało mu się osiągnąć, odpowiednio, 4,2 Gb/s oraz 538 GB/s. Dla odniesienia, HBM2 to 307 GB/s.

Ciekawostką jest, że obecna technologia pozwala ponoć tworzyć moduły nie ośmio-, lecz 12-warstwowe, a więc jeszcze pojemniejsze i jeszcze szybsze.

Masowa produkcja pamięci HBM2E ma ruszyć jeszcze w pierwszej połowie 2020 r. Docelowo trafią do kart graficznych sektora HPC, akceleratorów AI oraz rozmaitych FPGA. Tym niemniej nigdzie nie jest powiedziane, że na tym koniec. W końcu takie AMD różne rzeczy już z HBM robiło ;)