Samsung chwali się pierwszymi pamięciami DDR3 w procesie 20 nm, jakby nie wierzył w DDR4
Z miniaturyzacją procesów technologicznych stosowanych dowytwarzania pamięci DRAM nigdy nie było łatwo. Ani nie przynosi totak spektakularnych korzyści jak w wypadku wytwarzania procesorów(nie mówiąc już o tym, że marże na procesorach znacznie bardziejusprawiedliwiają takie zjawiska, jak regularny cykl tik-tak Intela),ani też nie jest to tak łatwe, jak w wypadku produkcji pamięciNAND flash. Przekonał się o tym dobrze Samsung, który choć już w2010 roku pokazał 20-nanometrowe pamięci flash, do tej poryprodukował pamięci DRAM przede wszystkim w procesie 25 nm.
Czas na postęp i w tej dziedzinie. Koreański gigant ogłosił,że rozpoczął masową produkcję swoich najbardziej zaawansowanychpamięci DDR3 o pojemności 4 Gb, w procesie 20 nm. Wykorzystał dotego ten sam sprzęt do fotolitografii z użyciem laserów ArF, którywykorzystywano w procesie 25 nm. Udało się to dzięki zastosowaniuprocesu chemicznego osadzania warstwy atomowej z fazy gazowej (ALD)oraz ulepszeniu techniki podwójnegoodwzorowywania – rozszerzenia procesu fotolitografii tak, bypodwoić liczbę uzyskiwanych elementów. W ten sposób powstały teżultracienkie warstwy kondensatorów komórek pamięci obezprecedensowej jednorodności.
Samsung podkreśla, że opracowane techniki pozwalają nie tylkona rozpoczęcie już dziś produkcji pamięci 20 nm DDR3 za pomocąistniejącego sprzętu, ale tworzą też podstawy dla kolejnejgeneracji pamięci DRAM wykonywanych w procesie 10 nm. Pozwoliły oneteż na znaczne zwiększenie wydajności linii produkcyjnych – o30% w porównaniu do procesu 25 nm i aż o 200% w porównaniu doprocesu 30 nm.
Korzyści dla użytkowników są równie spektakularne. Nowekostki 4 Gb zużywają o 25% mniej energii, niż wykonywane wprocesie poprzedniej generacji. Zdaniem producenta pozwoli to naprodukcję najbardziej przyjaznych dla środowiska naturalnegoprzemysłowych rozwiązań informatycznych. Young-Hyun Jun,wiceprezes działu sprzedaży pamięci i marketingu Samsungastwierdził: nowe, energooszczędne 20-nanometrowe pamięci DDR3DRAM Samsunga będą szybko poszerzać swój udział w rynku IT, wtym w zakresie komputerów osobistych i przenośnych, i szybkoosiągną status pamięci głównego nurtu. Samsung nadal będziedostarczać układy DRAM kolejnych generacji i ekologicznerozwiązania pamięci szybciej niż konkurenci, jednocześnieprzyczyniając się do wzrostu globalnego rynku IT w ścisłejwspółpracy z naszymi głównymi klientami.
Tyle sam Samsung. Jak jednak widzicie, nie padło tu ani jednosłowo o pamięciach DDR4, co powinno dać każdemu zainteresowanemudo myślenia. Decyzja o wykorzystaniu procesu 20 nm dla klasycznychjuż pamięci DDR3 jest deklaracją braku wiary w kolejną generacjępamięci. Gdyby było inaczej, Samsung zarezerwowałby proces 20 nmdla pamięci DDR4, przygotował je w wszystkich standardowychformatach (DIMM/SODIMM) i bez większego wysiłku zajął pozycjęlidera na nowym segmencie rynku. Tymczasem firma przygotowuje się dojednoczesnego przejścia na proces 20 nm dla obu generacji pamięci,jakby nie do końca była przekonana, że DDR4 spotka się zentuzjastycznym przyjęciem.
I na to też wygląda. Koszty przejścia na DDR4 będą bowiemniemałe – nowa generacja DRAM (nad którą prace zaczęły sięprzecież niemal 10 lat temu) wymaga zmian na każdym poziomie,mechanicznym, elektrycznym i software'owym. W zamian otrzymujemypamięć zużywającą już tylko 37% mniej energii, niż wytworzonew procesie 20 nm pamięci DDR3. Czy taka korzyść wystarczy, byprzekonać producentów do zainwestowania w nowątechnologię? Nawet premiera mikroprocesorów Haswell-E (Intel) iHierofalcon (AMD), zapewniających wsparcie dla DDR4, nie musi turozstrzygnąć sprawy na korzyść nowej generacji – dziś bowiemdesktopowe i serwerowe procesory nie mają takiego znaczenia, jak wpoprzedniej dekadzie. Kluczowe stają się układy SoC dla urządzeńprzenośnych i wbudowanych, a ich producenci, żyjący głównie wświecie ARM-a, o DDR4 zbyt wiele jeszcze nie myślą.