Samsung: Nowe pamięci DDR4 w technologii 1z nm. Jakby dotychczas nazewnictwo było zbyt proste
Zalogowani mogą więcej
Możesz zapisać ten artykuł na później. Znajdziesz go potem na swoim koncie użytkownika
Prawie cztery miesiące musieliśmy czekać na premierę następców wycofanych w maju modułów pamięci B-Die, przez wielu uważanych za najlepsze DDR4 na rynku. Ale nareszcie są. Poznajcie A-Die, sprzęt ponoć jeszcze szybszy, pojemniejszy i bardziej energooszczędny.
Debiutancka kość DIMM M378A4G43AB2-CVF nie jest jakoś szczególnie imponująca. Cechuje się pojemnością 32 GB, transferem 2933 MT/s i opóźnieniami CL 21-21-21. Tak, pojemność względem B-Die rośnie czterokrotnie, ale już wydajność to obecnie średnia półka. W tej chwili na rynku można znaleźć nawet kości DDR4-4600 CL 18, tyle że 8-gigabajtowe.
Samsung życzy sobie za nowość 128,33 dol. (ok. 505 zł), jednak jest to oferta wyłącznie dla dostawców OEM, więc na rynku detalicznym z pewnością będzie drożej. Crucial kość z A-Die wycenia w detalu na 171,99 dol. (ok. 677 zł). Na chwilę obecną więcej ofert nie ma.
1z nm, czyli 10 nm 3. gen
Nie to jest jednak w całej sprawie najciekawsze. Pamiętacie artykuł o tym, że nazewnictwo procesów litograficznych to istny rozgardiasz? Premiera A-Die to świetna okazja, aby wypomnieć koreańskiemu producentowi kolejny absurdalny zabieg. Podczas gdy B-Die były produkowane w technologii 20 nm, A-Die powstają w procesie litograficznym klasy 1z nm.
W taki właśnie sposób Samsung postanowił nazwać proces litograficzny klasy 10 nm trzeciej generacji. Zastępuje on technologię 10 nm drugiej generacji, czyli 1y nm. Niemniej ta szersze zastosowanie znalazła tylko w SSD-kach. Kolejny nomenklaturowy horror.