Samsung HBM2E, czyli kolejna generacja niezwykle szybkich modułów pamięci

Samsung wprowadził do oferty pamięci HBM 3. generacji, HBM2E, określane też kodową nazwą Flashbolt. Jak nietrudno się domyślić, nowa generacja to większe pojemności, szybsze transfery i lepsza energooszczędność — a jest się czym chwalić.

Pojedynczy stos HBM2E może mieć nawet 16 GB pojemności, czyli dwukrotnie więcej niż w przypadku poprzednika. W takim wypadku składa się z ośmiu 16-gigabitowych warstw DRAM, które to wytwarzane są w procesie litograficznym klasy 10 nm (1y). Same warstwy są natomiast połączone przelotowym interkonektem typu TSV; przy 5,6 tys. punktów na każdą z nich i ponad 40 tys. w całym stosie.

Jak wynika z oficjalnych danych, nominalna prędkość transmisji danych wynosi 3,2 Gb/s na ścieżkę, co daje ogólną przepustowość równą 410 GB/s. Przy czym Samsung twierdzi, że szczytowo udało mu się osiągnąć, odpowiednio, 4,2 Gb/s oraz 538 GB/s. Dla odniesienia, HBM2 to 307 GB/s.

Ciekawostką jest, że obecna technologia pozwala ponoć tworzyć moduły nie ośmio-, lecz 12-warstwowe, a więc jeszcze pojemniejsze i jeszcze szybsze.

Masowa produkcja pamięci HBM2E ma ruszyć jeszcze w pierwszej połowie 2020 r. Docelowo trafią do kart graficznych sektora HPC, akceleratorów AI oraz rozmaitych FPGA. Tym niemniej nigdzie nie jest powiedziane, że na tym koniec. W końcu takie AMD różne rzeczy już z HBM robiło ;)