Samsung w miniaturyzacji dorównał Intelowi, Exynosy już w procesie 14 nm
To już koniec przewagi Intela w dziedzinie miniaturyzacjielementów półprzewodnikowych. Samsung poinformował dziś orozpoczęciu masowej produkcji ośmiordzeniowego, 64-bitowegoprocesora Exynos 7 Octa. Nie byłoby w tym nic specjalnego –koreański potentat rozpoczął produkcję ośmiordzeniowych64-bitowych układów SoC jesienią zeszłego roku – gdyby nieproces, w jakim czip ten jest produkowany. Nowy Exynos, następcaznanego z Galaxy Note 4 układu o tej samej nazwie, powstaje wprocesie 14 nm, z wykorzystaniem trójwymiarowej strukturytranzystorów FinFET, a więc porównywalnym do procesutechnologicznego Intela, w jakim powstają procesory Core piątejgeneracji („Broadwell”).
Osiem rdzeni Exynosa 7 Octa to oczywiście wynik zastosowaniaarchitektury big.LITTLE, pozwalającej na efektywne rozłożenieobciążeń roboczych między rdzeniami nastawionymi na wydajność ina energooszczędność. Tu „dużymi” rdzeniami są czterystandardowe Cortexy-A57, a „małymi” cztery Cortexy-A53. Trzebajednak podkreślić, że to (przynajmniej w teorii) najbardziejzaawansowana forma big.LITTLE, tzw. heterogenicznej wieloprocesowościz globalnym planowaniem zadań (GTS), w którym możliwe jestjednoczesne wykorzystanie wszystkich rdzeni, a nie tylko przełączaniesię między nimi.
W komunikacie prasowym Samsung nie podał żadnych informacji natemat GPU zastosowanego w nowym Exynosie, ale biorąc pod uwagę to,że jest on najwyraźniej nowym wydaniem Exynosa 7 Octa produkowanegow procesie 20 nm HKMG, w środku powinniśmy spodziewać sięlicencjonowanej od ARM grafiki Mali-T760. Podobnie może być zkontrolerem pamięci – 20-nanometrowa wersja czipu oferuje32-bitową, dwukanałową pamięć LPDDR3.
Samsung utrzymuje, że jego nowy 14-nanometrowy proces produkcyjnyjest najbardziej zaawansowanym na świecie. To efekt kilkunastu latprac nad tranzystorami FinFET, na które firma uzyskała licznepatenty, i których pierwszym praktycznym zastosowaniem byłytrójwymiarowe pamięci V-NAND. Nie jesteśmy w stanie na tym etapieocenić, czy tak jest w rzeczywistości – to co Intel nazywatranzystorami z bramkami trójwymiarowymi (tri-gate) nie różni sięw założeniach konstrukcyjnych od tranzystorów FinFET-owych, taksamo mamy tam do czynienia z krzemowymi „płetewkami”,pozwalającymi zwiększyć powierzchnię tranzystora i ograniczyćprąd upływu rosnący w miarę postępów w miniaturyzacji.
Ten kolejny krok w miniaturyzacji przyniósł efekty porównywalnedo osiągniętych przez Intela. Samsung deklaruje, że proces 14 nmpozwala na o 20% większą szybkość, o 35% mniejsze zużycieenergii i 30% wzrost produktywności w porównaniu do procesu 20 nm –cokolwiek by to miało znaczyć. Można założyć jednak, że nowawersja Exynosa 7 będzie mogła być taktowana z wyższączęstotliwością, pracując przez dłuższy czas przy mniejszymzużyciu energii.
Co to może oznaczać w praktyce? Pod względem czystej wydajnościobliczeniowej może być nieźle. Starsza wersja Exynosa 7, zrdzeniami CPU taktowanymi z maksymalną częstotliwością 1,9 GHz,była w stanie w popularnym benchmarku Antutu uzyskać 48 430punktów, więcej niż konkurencyjny procesor Qualcomma Snapdragon805, z rdzeniami taktowanymi zegarem 2,7 GHz (46 910 punktów).Obiecany wzrost szybkości o 20% powinien sprawić, że nowy Exynos 7Octa będzie szybszy nawet od Exynosa 5 Octa, stosowanego m.in. wSamsungu Galaxy Alpha (50 829 punktów) czy Tegry K1, użytej wtablecie Xiaomi MiPad (49968 pkt).
Jak realnie sprawdzają się procesory wykonane w 14-nanometrowymprocesie Samsunga, przekonamy się już w tym roku. Exynos Octa 7jest pierwszym w ten sposób „odświeżonym” czipem firmy, ale ponim Koreańczycy zamierzają zrobić to samo z innymi swoimiprocesorami. Warto na koniec jednak przypomnieć, że w wypadkuExynosa 7 znaczenie będzie miała nie tylko miniaturyzacja, ale teżrozwiązanie dotychczasowych problemów z big.LITTLE – do tej poryimplementacja tej architektury nie bardzo Samsungowi wychodziła.Wymagać to będzie nie tylko ulepszeń sprzętowych, ale też pracynad jądrem Linuksa, w którym wsparcie dla planisty GTS też mogłobybyć lepsze.