5 minut ładowania, 5 godzin pracy: QuickCharge 4 najmocniejszym punktem nowego Snapdragona 835

Pomimo tych wszystkich wieści o nowych technologiachakumulatorowych, niewiele z nich wyszło: wciąż na rynku królująogniwa LiPo. Rosnące zużycie energii urządzeń mobilnych oznaczawięc konieczność stosowania coraz większych pojemnościakumulatorów. To zaś, obok rosnącego ryzyka groźnego w skutkachsamozapłonu, przekłada się na wydłużający się czas ładowania.Ta ostatnia kwestia zmieni się jednak za sprawą zaprezentowanejprzez Qualcomm czwartej generacji standardu ładowania Quick Charge4, która już w przyszłym roku zadebiutuje w urządzeniachmobilnych z procesorami Snapdragon 835.

Adam Golański

18 listopada 2016, 19:20

QuickCharge 4 wychodzi naprzeciw opracowanym przez Googlewytycznym kompatybilności dla Androida, które odradzająproducentom stosowania jakichkolwiek metod ładowania, którenaruszałyby standardy USB. Tak właśnie było zaś z poprzednimiwersjami QuickCharge, które wykorzystywały niestandardowe napięciana niestandardowych pinach, co nie tylko stwarzało problemy zuniwersalnością ładowarek, ale zdaniem ekspertów mogło zagrażaćakumulatorom, ładowanym coraz to wyższym napięciem.

Nowa wersja standardu jest całkowicie zgodna z USB Power Deliveryi ułożeniem pinów wtyczki USB Type-C. Szybkość ładowaniaznacznie wzrosła, jest ponad 250% wyższa od pierwszej wersji z 2014roku i 20% wyższa od wersji 3.0, która zadebiutowała w tym roku, ito mimo zachowania takiego samego poboru mocy (18 W) jak wcześniej.Co więcej, nowa wersja technologii inteligentnej optymalizacjinapięcia ma pozwolić na obniżenie temperatury ładowania o średnio5 stopni Celsjusza – dzięki zarządzaniu woltażem z dokładnościądo 20 mV.

Najbardziej interesujący w tym jest jednak ekstremalny trybładowania, aktywowany przy niemal całkowicie rozładowanymakumulatorze. Wówczas to 5 minut ładowania ma zapewnić dośćenergii na 5 godzin pracy urządzenia. Z kolei 15 minut ładowania mapozwolić na naładowanie typowego smartfonu do 50%.

Jak wspomnieliśmy, wsparcie dla QuickCharge 4 zobaczymy po razpierwszy w Snapdragonie 835. Qualcomm przedstawił już pierwszeinformacje o swoim nowym procesorze dla flagowych smartfonów 2017roku. Wyprodukowany on zostanie w procesie 10 nm FinFET przezSamsunga, zapewniając zmniejszenie zużycia energii o nawet 40%,wzrost wydajności o nawet 27% oraz większą efektywnośćupakowania powierzchni o 30%. Nowy Snapdragon będzie prawdziwiewielordzeniowym czipem: w środku znajdziemy osiem nowych rdzeni Kyro200 oraz nową wersję zintegrowanej grafiki Adreno.

Adam Golański