Żegnaj 7 nm, witaj 5 nm. TSMC finalizuje infrastrukturę dla kolejnego procesu

Tajwańskie TSMC ogłosiło zakończenie prac projektowych nad infrastrukturą dla technologii 5 nm, co jest kolejnym krokiem w ewolucji krzemu, patrząc na gęstość i wydajność czipów.

Proces 5 nm TSMC wykorzysta ulepszoną implementację technologii EUV (Extreme Ultra Violet), polegającej na użyciu światła o długości fali równej 13,5 nm, zamiast klasycznego lasera 193 nm i zestawu masek. Z tego rozwiązania korzysta obecny proces 7 nm TSMC. Fabryka obiecuje jednak nieokreślone usprawnienia, które mają przełożyć się na poprawę wydajności.

Według TSMC, proces 5 nm umożliwi osiągnięcie 1,8-krotnej gęstości logicznej procesu 7 nm, a także 15-proc przyrost częstotliwości zegara taktującego, co obliczono na przykładzie rdzenia ARM Cortex-A72. Przy czym większa gęstość to oczywiście redukcja powierzchni samych układów.

Zachowując niezmienioną pojemność, producenci mogliby na przykład znacząco obniżyć koszty produkcji pamięci SRAM. (Albo w tej samej cenie zaoferować większą pojemność).

Nowy proces jest nastawiony na zastosowania mobilne, internetowe i wysokowydajne. Czyli tak naprawdę pokrywa potrzeby zarówno rynku konsumenckiego, jak i korporacyjnego. TSMC zapewnia również narzędzia do przeprowadzenia "shrinku" do 5 nm, z 7 nm. Jak wynika z komunikatu prasowego, produkcja pierwszych rdzeni w 5 nm już się rozpoczęła.