Samsung wyprodukował pierwszy tranzystor w technologii 3 nm GAAFET. Dlaczego to ważne?
Samsung poinformował o wyprodukowaniu pierwszego sprawnego tranzystora w technologii 3 nm GAAFET. To spora zmiana w dziedzinie półprzewodników, gdyż stanowi odejście od forsowanej od paru ostatnich lat technologii FinFET i gwarantuje naprawdę widowiskowe przyrosty.
Jak wynika z oficjalnych danych, technologia 3 nm GAAFET, względem 5 nm FinFET, pozwala zredukować rozmiar czipu o 35 proc., a jednocześnie zużycie energii o 50 proc.
Kluczem jest tu rodzaj tranzystora – Gate All Around
Współczesne mikroprocesory składają się z tranzystorów. Miliardów tranzystorów. Każdy z nich ma trzy elektrody: źródło, dren i bramkę.
Źródło i dren współtworzą kanał prądowy, a umieszczona wzdłużnie bramka zmienia przewodnictwo tego kanału wskutek przyłożenia napięcia. Jeśli obejmuje przy tym kanał prądowy z dwóch lub trzech stron, to mamy do czynienia z technologią FinFET.
Użycie technologii GAAFET oznacza natomiast, że kanał prądowy jest objęty przez bramkę ze wszystkich czterech stron, co jeszcze bardziej zmniejsza straty energii.
Samsung od początku chciał wdrożyć GAAFET w 2020 r., ale analitycy byli bardzo sceptyczni
Na przykład Samuel Wang, wiceprezes Garner, wprost mówił, że nie widzi szans na produkcję masową przed rokiem 2022. Koreańskie przedsiębiorstwo kontruje przykładem sprawnego tranzystora, zapowiadając masową dostępność nowego procesu najdalej w roku 2021.
Co ciekawe, zmieniła się tylko nieznacznie nomenklatura, gdyż najpierw mówiono o 4 nm GAAFET, a teraz są to 3 nm. Przy czym, pamiętajcie, cyferki od dawna pełnią tutaj rolę umowną.
