Jak ujawniono na łamach specjalistycznego magazynu IEEE Electron Device Letters, nanocząstki metaliczne należałoby wprowadzić do bramki tranzystora dostępowego, która ma inny potencjał niż elektroda bramkowa. Dzięki temu powstanie ponoć kanał prądowy, izolujący komórki pamięci.
Brzmi to intrygująco, prawda? Cały ten proces charakteryzuje się jednak pewną wadą, a mianowicie na ten moment jest czysto teoretyczny. Badacze twierdzą, że wszystkie obliczenia zwiastują sukces, z tym że najpierw należy wynaleźć metodę umożliwiającą umieszczenie wspomnianych nanocząstek w konkretnym miejscu struktury krzemowej. – Umieszczenie nanocząstek metalicznych w procesie litograficznym jest krokiem nieco krytycznym – przyznaje prof. nadzw. IIT Sanjeev Manhas, współautor niniejszego opracowania. – Będzie to wymagało dodatkowych kroków w konwencjonalnym procesie produkcyjnym DRAM – dodaje Arvind Kumar z Applied Materials.
W tej chwili grupa wyraża nadzieje, że swym pomysłem zainteresuje wiodących producentów pamięci jak Micron, Hynix czy Samsung. Niemniej sądząc po skali trudności całego przedsięwzięcia, ciężko spodziewać się entuzjastycznych reakcji, choć jest to na pewno kusząca wizja przyszłości. Wyeliminowanie przeskoku bitu byłoby prawdziwym kamieniem milowym w dziedzinie rozwoju pamięci dynamicznej, na który wielu czeka z utęsknieniem.
