Nowe pamięci Samsunga dla smartfonów szybsze od dysków SSD

Południowokoreański producent zastosował standard Universal Flash Storage (UFS) 2.0. Według Joo Sun Choi, wiceprezesa sprzedaży i marketingu działu Samsunga zajmującego się produkcją pamięci, pozwoliło to na osiągnięcie dwukrotnie wyższej wydajności w stosunku do wybranych dysków SATA SSD. Pamięć osiąga 45 000 IOPS dla odczytu i 40 000 IOPS dla zapisu, w porównaniu do pierwszej generacji UFS to zauważalny skok, parametr IOPS w poprzedniku wynosił 19 000 dla odczytu i 14 000 dla zapisu.

Nowy moduł pamięci Samsunga wykorzystuje technologię V-NAND. Osiąga on sekwencyjny odczyt na poziomie 850 MB/s, natomiast sekwencyjna prędkość zapisu to 260 MB/s, czyli trzykrotnie szybciej niż wydajne karty microSD. W połączeniu z USB 3.0 ma to pozwolić na przesłanie 90-minutowego filmu FullHD (5 GB) w 12 sekund. Takich filmów na smartfonie będziemy mogli mieć około 47, to naprawdę sporo i na początku pewnie tylko nieliczni to wykorzystają. Należy jednak pamiętać, że nowe smartfony pozwalają na nagrywanie materiałów w 4K, rozdzielczość zdjęć sięga 20 MP, a aplikacje, a zwłaszcza rozbudowane gry wymagają coraz więcej wolnej przestrzeni.

Rok temu Samsung przedstawił pamięć 128 GB, w tym roku pokazał moduł 256 GB. Bardzo możliwe, że w 2017 roku będziemy informować Was o pamięci, która pozwoli na przechowywanie 512 GB danych na smartfonie.