Samsung jako pierwszy wprowadza pamięci DRAM wykonane w procesie 10 nm
Południowokoreański producent oficjalnie ogłosił, ze rozpoczyna masową produkcję nowych pamięci DRAM wykonanych w 10-nanomterowym procesie technologicznym. Nowe układy są szybsze, a przy tym zużywają mniej energii od obecnie dostępnych pamięci.
Samsung poinformował, że jako pierwszy na świecie rozpoczął produkcję 10-nanometrowych pamięci DRAM. Udało się to osiągnąć z wykorzystaniem obecnie stosowanych metod, bez potrzeby sięgania po technologię EUV (Extreme Ultra Violet). Na rynku niebawem mają się pojawić kości DDR4 o pojemności 8 GB.
Pamięci Samsunga mogą pochwalić się większą szybkością i energooszczędnością od obecnie produkowanych DDR4, które zostały wyprodukowane w procesie 20-nanometrowym. Według zapewnień producenta, nowe układy zapewniają transfer danych na poziomie 3200 Mb/s, co jest rezultatem o 30% wyższym względem poprzedników – 2400 Mb/s (20-nanometrowe kości). Przy tym, zużycie energii spadło od 10 do 20%.
Samsung zamierza produkować pamięci do desktopów i laptopów, dostępne będą one w modułach 4-8 GB. Natomiast te skierowane dla serwerów będą występowały nawet w odmianie do 128 GB. Dodatkowo południowokoreańska firma zapowiedziała, że zamierza wprowadzić nowe pamięci DDR4 także w modułach skierowanych do smartfonów.
