211,3 proc. – o tyle chip iPhone'a XS przewyższa zagęszczeniem A10 Fusion (iPhone 7) 

Powierzchnia chipu A12 Bionic wynosi 83,3 mm², liczba tranzystorów zaś – 6,9 mld, co oznacza, że na 1 mm² przypada 82,8 mln tranzystorów. Dla odniesienia, starszy A11 Bionic, wytwarzany w procesie litograficznym klasy 10 nm FF, ma 4,3 mld tranzystorów przy powierzchni 87,6 mm², czyli zagęszczenie równe 49,1 mln tranzystorów na 1 mm². Natomiast 16-nanometrowy A10 Fusion to, odpowiednio, zaledwie 3,3 mld tranzystorów oraz aż 125 mm² powierzchni – 26,4 mln tranzystorów na każdy mm². Obrazowe przełożenie tych rezultatów może wręcz szokować.

Otóż okazuje się, że nowy SoC Apple'a przewyższa pod względem upakowania tranzystorów model A11 o 67,4 proc., a model A10 aż o 211,3 proc. To oczywiście tłumaczy fenomenalne osiągi A12, takie jak ponad 360 tys. pkt. w benchmarku Antutu, ale też każe z niecierpliwością wyczekiwać kolejnych układów w litografii TSMC 7 nm FF, szczególnie na rynku komputerów osobistych, gdzie wysoka wydajność daje się najłatwiej spożytkować.

Pod koniec sierpnia bieżącego roku AMD potwierdziło, że jest zainteresowane procesem litograficznym klasy 7 nm FF w kontekście przyszłych procesorów Ryzen i kart graficznych Navi. Jeśli ekipie „czerwonych” uda się sprawnie przenieść mikroarchitekturę Zen na tę technologię, to – wobec problemów „niebieskich” z 10 nm – na rynku może dojść do istniej rewolucji. A skoro TSMC radzi sobie z masową produkcją układu Apple'a, powinno bez trudu sprostać zleceniom innych firm.