Geekbench: Snapdragon 855 to naprawdę szybki układ, ale A11 Bionic raczej pozostanie liderem

Nowość ma osiem rdzeni ARM niezidentyfikowanego typu o częstotliwości zegara taktującego 1,78 GHz, dzięki czemu uzyskuje: 3697 pkt. – w pracy jednowątkowej, a także 10469 pkt. – w pracy wielowątkowej. Są to wyniki zauważalnie przewyższające tegoroczny model, który notuje, odpowiednio, około 2400 oraz 8500 - 9000 pkt., aczkolwiek wciąż nieco słabsze od flagowego chipu Apple'a, A11 Bionic, osiągającego na pojedynczym rdzeniu lekko ponad 4200 pkt., przy zbliżonej efektywności wielowątkowej. A nadchodzący A12 zapewne zawiesi poprzeczkę wyżej.

Oczywiście nic jeszcze nie jest przesądzone, bo może okazać się, że sklepowe egzemplarze będą taktowane z wyższą częstotliwością niż niniejszy sampel inżynieryjny, ale nie wydaje się to bardzo prawdopodobne. Już wcześniejsze pogłoski wskazywały na dość asekuracyjne taktowanie, co miałoby wynikać z zastosowania raczkującego procesu litograficznego klasy 7 nm. Samo rozpoczęcie masowej produkcji Snapdragona 855 zaś, według dotychczasowych plotek, datuje się na czwarty kwartał bieżącego roku, więc czasu na poprawki pozostaje niewiele.

Jeśli doniesienia się potwierdzą, omawiany tutaj Snapdragon 855 stanie u podstaw Samsunga Galaxy S10. Mówi się przy tym o zintegrowaniu modemu X50 LTE, który oferuje transmisję w technologii 5G, z tym że wszystko to, wyraźnie podkreślam, są na razie informacje nieoficjalne.

Ciekawostką jest natomiast, że Snapdragon 855, pomimo porażki w starciu z A11 Bionic, powinien być szybszy od Kirina 980, świeżo zaprezentowanego układu SoC od Huaweia. Podczas prezentacji tego ostatniego pochwalono się wynikiem jednowątkowym w Geekbenchu równym 3360 pkt. Tak więc rozkład sił na linii Qualcomm - HiSilicon nie powinien ulec zmianie: Snapdragon 855 raczej wyprzedzi Kirina 980 tak, jak Snapdragon 845 wyprzedza Kirina 970, choć w mniejszym stopniu.